SIRM紅外體微缺陷分析儀 參考價：面議
SIRM是非接觸和非破壞型光學檢測設備，對體微缺陷，如氧化物和金屬沉淀，位錯、堆垛層錯，體材料中的滑線和空隙等進行測試。這個技術也可對GaAs 和 InP等復合...
LST體微缺陷測試設備 參考價：面議
LST是檢測半導體材料的體微缺陷有力工具，通過CCD相機，對入射光在樣品邊沿的散射進行掃描，獲得體微缺陷分布信息。
非接觸遷移率測試系統 參考價：面議
LEIModel1605，是非接觸遷移率測試系統，可對各種半導體材料和器件結構進行測試。無需制樣，消除了樣品制備引起的遷移率變化。
非接觸方塊電阻測試系統 參考價：面議
LEI88 是針對科研類客戶開發的產品，具備非接觸快速測試方塊電阻和電導率功能。
非接觸Hall和方塊電阻測試系統 參考價：面議
非接觸Hal和方塊電陽測試系統，可對GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導體材料設計的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器...
SRP 擴展電阻測試 參考價：面議
SRP 測試系統，采用擴展電阻率技術(SRP)，對載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測試。
準穩態-光致發光測試設備 參考價：面議
準穩態-光致發光可以將QSS準穩態少子壽命測試和PL光致發光技術相結合，快速獲得樣品的少子壽命分布圖譜信息。
光致發光檢測設備 參考價：面議
光致發光主要對材料能帶結構，雜質濃度和缺陷，組分機理以及材料質量進行檢測。WT-2000PL專門針對PL應用開發，具有非接觸，快速，可變溫，光斑等特點。
PV-2000A 光伏多功能掃描系統 參考價：面議
Semilab PV-2000A是業界功能最（zui）先進的，用于晶硅太陽能電池片生產及光伏工藝研發的非接觸電學表征系統,以滿足硅片到成品電池片不同工藝控制的測...
汞探針測試 參考價：面議
LEI Model2017B，通過汞探針接觸方法，對各類半導體材料的載流子濃度分布進行測試，特別適合GaN.SiC等化合物材料。
汞CV測試系統 參考價：面議
汞CV測試系統，用于對外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測試;MCV-530L可測最大200mm的樣品。
CV-1500非接觸CV測試系統 參考價：面議
CV-1500，用于測試界面和介電層的科研平臺，基于SDI Corona-Kelvin技術，可以進行非接觸C-V/I-V測試。
深能級瞬態譜測試儀 參考價：面議
深能級瞬態譜儀(DLTS)是檢測半導體材料和器件缺陷和雜質的最好技術手段，它可以測定各種深能級相關參數，如深能級，俘獲界面，濃度分布等。
納米壓痕測試設備 參考價：面議
對小體積樣品材料力學性質進行定量化測試的關鍵技術。
拉曼光譜分析 參考價：面議
拉曼光譜用來測試材料應力，摻雜濃度和sheet& pattem等。從散射光的能量轉移，強度和偏振等方面可以獲取樣品豐富信息,如:結晶取向，組分，機械應力，摻雜和...
原子力顯微鏡 參考價：面議
原子力顯微鏡使用非常小的探針，掃描樣品表面，在原子尺度探測樣品形貌。Semilab的AFM設備，可靈活配置和測試，具備優異測試穩定性和可靠性。
反射譜成像技術 參考價：面議
iSR是一種微光斑測試技術，用于實時刻蝕和Halftone工藝中的厚度測試
光譜型橢偏儀 參考價：面議
光譜型橢偏儀是多功能薄模測試系統，適合各種薄材料的研究。
少子壽命/ μ LBIC變溫測試系統 參考價：面議
WT-2000MCT/μ LBIC 適用于對超低溫有特殊要求的材料，比如HgCdTe,InSb,GaAs,InGaAs等，它已被廣泛用于化合物材料的缺陷，雜質和...
WT-2000半導體多功能測試 參考價：面議
WT-2000提供349nm，904nm，1064nm，1550nm等不同激發光，適合Si，SiC，GaAs，CdZnTe，InGaAs等各種材料電學參數測試。
WT-1200A 單點式少子壽命測試系統 參考價：面議
WT-1200A 是單點式少子壽命測試系統，具備無接觸等優點。
半導體參數分析儀 參考價：面議
半導體參數分析儀型號有Keysight B1500A系列、Keithley 4200系列
網絡分析儀 參考價：面議
網絡分析儀主要特性和功能：· 具有緊湊型頻率擴展器的單次掃描解決方案· 可以作為單個產品解決方案一次性購買· 對器件施加精確的調平...
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